| 发明名称 | 一种高热导率反应烧结碳化硅陶瓷材料及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种高热导率反应烧结碳化硅陶瓷材料及其制备方法，它由以下质量百分比的原料组成，碳化硅50-90wt.％，石墨烯0.5-12.5wt.％，炭粉5-15wt.％，表面活性剂1-3wt.％，分散剂0.5-2.5wt.％，粘结剂0.3-1.5wt.％；上述原料经混合、成型、真空条件下于温度1650-1800℃反应烧结8～12小时，制得。本发明制得的SiC陶瓷材料硬度高、热膨胀系数低、热导率高，材料性能更加均匀、一致，提高了材料的服役可靠性。 | ||
| 申请公布号 | CN104926313A | 申请公布日期 | 2015.09.23 |
| 申请号 | CN201510369345.9 | 申请日期 | 2015.06.29 |
| 申请人 | 山东大学 | 发明人 | 张玉军;李其松;龚红宇;孙海滨;张衍双 |
| 分类号 | C04B35/573(2006.01)I;C04B35/65(2006.01)I | 主分类号 | C04B35/573(2006.01)I |
| 代理机构 | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人 | 张宏松 |
| 主权项 | 一种高热导率反应烧结SiC陶瓷材料，由以下质量百分比的原料组成，碳化硅50‑90wt.％，石墨烯0.5‑12.5wt.％，炭粉5‑15wt.％，表面活性剂1‑3wt.％，分散剂0.5‑2.5wt.％，粘结剂0.3‑1.5wt.％；各组分质量百分比之和为100％，上述原料经混合、成型、真空条件下于温度1650‑1800℃反应烧结8～12小时，制得。 | ||
| 地址 | 250061 山东省济南市历下区经十路17923号 | ||