| 发明名称 |
用于半导体制造设备之清理设备及使用该清理设备之半导体装置之制造方法 |
| 摘要 |
|
| 申请公布号 |
TWI501340 |
申请公布日期 |
2015.09.21 |
| 申请号 |
TW101103745 |
申请日期 |
2012.02.06 |
| 申请人 |
富士通股份有限公司 |
发明人 |
中村哲一;山田敦史;武田正行;渡部庆二;今西健治 |
| 分类号 |
H01L21/67;H01L29/778;H01L21/336 |
主分类号 |
H01L21/67 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
洪武雄 台北市中正区杭州南路1段15之1号9楼;陈昭诚 台北市中正区杭州南路1段15之1号9楼 |
| 主权项 |
一种用于半导体制造设备之清理设备，系包括：氧化物移除单元，系组构成移除附着至该半导体制造设备的组件的含有镓或铝的氮化物半导体的沉积物的表面上的氧化物；以及沉积物移除单元，系组构成在藉由该氧化物移除单元移除该表面上的该氧化物之后，移除该沉积物；其中，该氧化物移除单元系于该氧化物上进行电浆蚀刻且将该氧化物暴露于用于该电浆蚀刻的惰性气体的电浆。
|
| 地址 |
日本 |
