| 摘要 |
<p>Un procédé de fabrication d'une structure semiconductrice en couches superposées formant un transistor à effet de champ et à hétérojonction, comprenant - prévoir sur une couche substrat (1) une couche tampon (2), une couche canal (3) et une couche barrière (4), réalisées dans des matériaux à cristal hexagonal de type Ga(1-p-q)Al(p)In(q)N, - former une ouverture dans une couche de masquage (5) déposée sur la couche barrière, - faire croître par épitaxie un matériau semiconducteur à cristal hexagonal (6, 6') Ga(1-x'-y)Al(x')In(y')N dopé au Germanium, sur une zone de croissance définie par l'ouverture formée dans la couche de masquage, - déposer une électrode de contact de source ou drain (15, 16) sur le matériau ainsi déposé par épitaxie, et une électrode de grille (13) à un emplacement en dehors de la zone de croissance.</p> |
