发明名称 半导体装置及绝缘闸极型双极电晶体
摘要 本发明提供一种可精度良好地检测电流量之半导体装置及绝缘闸极型双极电晶体。;根据实施形态,提供一种绝缘闸极型双极电晶体,其特征在于包括:主区域;感测区域;及半导体层,其系于上述主区域与上述感测区域之间,与设置于上述主区域及上述感测区域之集极层接触,杂质浓度低于上述集极层。
申请公布号 TW201535724 申请公布日期 2015.09.16
申请号 TW103123066 申请日期 2014.07.03
申请人 东芝股份有限公司 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA 发明人 三须伸一郎 MISU, SHINICHIRO;小仓常雄 OGURA, TSUNEO
分类号 H01L29/73(2006.01);H01L29/40(2006.01) 主分类号 H01L29/73(2006.01)
代理机构 代理人 陈长文
主权项
地址 日本 JP