发明名称 一种类单晶硅铸锭用籽晶拼接方法
摘要 本发明公开了一种类单晶硅铸锭用籽晶拼接方法,用于定向凝固法类单晶硅铸锭,籽晶层由籽晶紧密排列而成,每两块籽晶拼接面上,至少一条所述拼接面的切线方向与坩埚底部平面的法线方向成α角,0°<α<90°。本发明采用拼接面切向与平底坩埚底部平面的法线方向,二者不重合的籽晶拼接方式,通过改变籽晶的形状来减少位错源、甚至减少多晶晶界的产生,实现全单晶,位错源少的类单晶生长。进而减少了硅片的位错缺陷,提高了单晶面积比例,提高了太阳能电池的光电转换效率、延长了电池的寿命,从而提高了光伏器件的性能。
申请公布号 CN103060892B 申请公布日期 2015.09.16
申请号 CN201210571603.8 申请日期 2012.12.26
申请人 江西赛维LDK太阳能高科技有限公司 发明人 钟德京;胡动力;张学日;刘海;陈小林
分类号 C30B11/14(2006.01)I;C30B28/06(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I 主分类号 C30B11/14(2006.01)I
代理机构 广州三环专利代理有限公司 44202 代理人 郝传鑫;熊永强
主权项 一种类单晶硅铸锭用籽晶拼接方法,用于定向凝固法类单晶硅铸锭,其特征在于,籽晶层由所述籽晶紧密排列而成,每两块所述籽晶拼接面上,至少一条所述拼接面的切线方向与平底坩埚底部平面的法线方向成α角,0°<α<90°。
地址 338000 江西省新余市高新经济开发区赛维工业园专利办公室