C偏M向蓝宝石单晶的生长方法

摘要

本发明提供了一种C偏M向蓝宝石单晶的生长方法。该蓝宝石单晶生长方法包括以下阶段：升温化料、引晶、放肩、等径、收尾拉脱和降温退火阶段，根据生长晶体重量及晶向要求，籽晶端面晶向为C偏M1°~89°，籽晶直径12~22mm。升温化料阶段适当延长保温时间；引晶阶段，适当增大籽晶杆水流量，做5~15个引晶层；放肩阶段以两次90度旋转人为分三段控制，减小斜肩几率。本发明针对C偏M向晶体特点，在冷心放肩微量提拉法蓝宝石单晶生长炉结构的基础上改进单晶炉，通过对生长工艺进行控制，形成适于生长高品质、无斜肩的C偏M向蓝宝石单晶。

主权项

一种C偏M向蓝宝石单晶的生长方法，其特征在于该蓝宝石单晶生长方法包括以下阶段：升温化料、引晶、放肩、等径、收尾拉脱和降温退火阶段，根据生长晶体重量及晶向要求，籽晶端面晶向为C偏M1°~89°，籽晶直径12~22mm；升温化料阶段适当延长保温时间；引晶阶段，适当增大籽晶杆水流量，做5~15个引晶层；放肩阶段以两次90度旋转人为分三段控制，减小斜肩几率；等径生长阶段，减小提拉速度，同时加快降温速度，直到单晶即将生长结束时，加快降温速度同时将晶体快速提起，使其完全与底部剩余熔体脱离，实现晶体的收尾拉脱，晶体拉脱后采取分段降温方式进行退火。