非挥发性半导体记忆装置

摘要

本发明之实施形态系提供一种可于记忆体元件与周边电路之电晶体中将闸极电极极力设为最佳构造之非挥发性半导体记忆装置。;实施形态之非挥发性半导体记忆装置包含：半导体基板；记忆体元件，其系于上述半导体基板上介隔第1绝缘膜而具备第1高度之第1闸极电极；及上述记忆体元件以外之周边元件，其系于上述半导体基板上介隔第2绝缘膜而具备第2高度之第2闸极电极；且于上述记忆体元件之第1闸极电极与上述周边元件之第2闸极电极之间，闸极材料之积层构成不同，上述第1闸极电极之第1高度与上述第2闸极电极之第2高度不同。