| 发明名称 | 高压场效晶体管及其应用电路 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种高压场效晶体管及其应用电路，该高压场效晶体管包括高压鳍式场效晶体管其具有半导体鳍片和位于鳍片上的绝缘覆盖层。栅介电材料配置于半导体鳍片的第一侧边和第二侧边。栅极覆盖在位于第一侧边和第二侧边上方的栅介电材料以及半导体鳍片中的通道区上，并位于绝缘覆盖层上方。源极/漏极端，位于半导体鳍片中栅极的相反两侧，可以包括轻掺杂区，由栅极边缘往较重掺杂接触延伸。此一结构的尺寸可以构建来使晶体管具有大于或等于30伏特的崩溃电压。 | ||
| 申请公布号 | CN104916697A | 申请公布日期 | 2015.09.16 |
| 申请号 | CN201410814101.2 | 申请日期 | 2014.12.24 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 吕函庭 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L27/115(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 任岩 |
| 主权项 | 一种高压晶体管，包括：一半导体鳍片；栅介电材料，位于该半导体鳍片的一第一侧边和一第二侧边；一栅极，覆盖(overlies)在位于该第一侧边和该第二侧边上方的该栅介电材料和该半导体鳍片中的一通道区上；以及源极/漏极端，位于该半导体鳍片中该栅极的相反两侧；其中，该高压晶体管具有大于或等于30伏特(V)的一崩溃电压(breakdown voltage)。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区力行路16号 | ||