| 摘要 |
<p>본 발명은, 검사 대상인 SOI 웨이퍼와, 검사 대상인 SOI 웨이퍼보다 SOI층의 막두께가 소정 두께(t)[nm]만큼 얇거나 두꺼운 막두께의 SOI 웨이퍼의 가시광 이상의 파장 영역의 빛에 대한 반사율의 파장 의존성을 나타내는 프로파일(P1, P2)을 산출하고, 양자의 차인 프로파일(P3), 또는 변화율인 프로파일(P4)을 산출하고, 그 산출한 프로파일(P3 또는 P4) 내의 최대피크 파장(λ)에 기초하여 선택한 파장(λ) 또는 파장대의 빛을 검사 대상인 SOI 웨이퍼의 표면에 조사하고, 이 SOI 웨이퍼로부터의 반사광을 검출하고, 그 검출한 반사광의 반사 강도가 증가하여 피크가 되는 개소를 SOI층 막두께의 변동에 기인한 결함으로서 검지하는 것을 특징으로 하는 SOI 웨이퍼의 검사 방법이다. 이에 따라, SOI 웨이퍼의 막두께의 변동에 기인한 결함을 SOI 웨이퍼 표면 이물에 영향을 받지 않고, 감도 좋게 저비용으로 검사할 수 있는 SOI 웨이퍼 검사 방법이 제공된다.</p> |
