发明名称 |
Halbleitervorrichtung mit plattiertem Leiterrahmen und Verfahren zum Herstellen davon |
摘要 |
Ein Trägersubstrat, das eine Vielzahl an Aufnahmen jeweils zum Aufnehmen und Tragen eines Halbleiterchips aufweist, ist bereitgestellt. Halbleiterchips sind in den Aufnahmen angeordnet, und Metall ist in die Aufnahmen plattiert, um eine Metallstruktur auf und in Kontakt mit den Halbleiterchips auszubilden. Das Trägersubstrat wird geschnitten, um getrennte Halbleitervorrichtungen auszubilden. |
申请公布号 |
DE102015102718(A1) |
申请公布日期 |
2015.09.10 |
申请号 |
DE201510102718 |
申请日期 |
2015.02.25 |
申请人 |
INFINEON TECHNOLOGIES AG |
发明人 |
KOBLINSKI, CARSTEN VON;FASTNER, ULRIKE;BROCKMEIER, ANDRE;ZORN, PETER |
分类号 |
H01L21/50;H01L21/283;H01L21/48;H01L23/08;H01L23/498 |
主分类号 |
H01L21/50 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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