发明名称 |
含钼靶材 |
摘要 |
本发明涉及包括50原子%或更多钼、第二金属元素铌或钒,及选自由钛、铬、铌、钒和钽组成的群组的第三金属元素,且其中第三金属元素与第二金属元素不同的溅射靶材,及采用所述溅射靶材制造的沉积膜。在本发明的优选方面,所述溅射靶材包括一富钼相、一富第二金属元素相及一富第三金属元素相。 |
申请公布号 |
CN103154307B |
申请公布日期 |
2015.09.09 |
申请号 |
CN201080068832.7 |
申请日期 |
2010.07.01 |
申请人 |
H·C·施塔克公司 |
发明人 |
G·A·罗扎克;M·E·盖多斯;P·A·霍根;S·孙 |
分类号 |
C23C14/34(2006.01)I;B22F3/00(2006.01)I;C22C27/04(2006.01)I |
主分类号 |
C23C14/34(2006.01)I |
代理机构 |
广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 |
代理人 |
张海文 |
主权项 |
一种溅射靶材,包括:i)占所述溅射靶材原子总数40原子%或更高并且小于85原子%的钼;ii)占所述溅射靶材原子总数5原子%或更高的第二金属元素,其中所述第二金属元素选自由铌和钒所组成的群组;及iii)占所述溅射靶材原子总数5原子%或更高的第三金属元素,其中所述第三金属元素选自由钽、铬、钒、铌和钛所组成的群组,且第三金属元素与第二金属元素不同;其中所述溅射靶材包括占所述溅射靶材总体积40体积%或更高的第一相,其中所述第一相包括浓度占第一相中原子总数50原子%或更高的钼;占所述溅射靶材总体积1至40体积%的第二相,其中所述第二相包括浓度占第二相中原子总数50原子%或更高的第二金属元素;及占所述溅射靶材总体积5至40体积%的第三相,其中所述第三相包括浓度占第三相中原子总数50原子%或更高的第三金属元素;因此所述溅射靶材可用于制造含有合金的沉积膜,所述合金包括钼、第二金属元素和第三金属元素。 |
地址 |
美国马萨诸塞州 |