| 发明名称 | 半导体结构及其形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体结构及其形成方法。半导体结构包括衬底、第一源/漏极区、第二源/漏极区、第一叠层结构与第二叠层结构。第一源/漏极区形成于衬底中。第二源/漏极区形成于衬底中。第一叠层结构位于第一源/漏极区与第二源/漏极区之间的衬底上。第一叠层结构包括第一介电层与第一导电层。第一导电层位于第一介电层上。第二叠层结构位于第一叠层结构上。第二叠层结构包括第二介电层与第二导电层。第二导电层位于第二介电层上。 | ||
| 申请公布号 | CN103296080B | 申请公布日期 | 2015.09.09 |
| 申请号 | CN201210040502.8 | 申请日期 | 2012.02.22 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 朱建文;陈永初;吴锡垣 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 周国城 |
| 主权项 | 一种半导体结构，包括：一衬底；一第一源/漏极区，形成于该衬底中；一第二源/漏极区，形成于该衬底中；一第一叠层结构，位于该第一源/漏极区与该第二源/漏极区之间的该衬底上，其中该第一叠层结构包括一第一介电层与一第一导电层，该第一导电层位于该第一介电层上；以及一第二叠层结构，具有一个底表面，该底表面全部位于该第一叠层结构上，其中该第二叠层结构包括一第二介电层与一第二导电层，该第二导电层位于该第二介电层上。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区力行路16号 | ||