| 发明名称 | 金属镁基UVC波段透明导电结构及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种金属镁基UVC波段透明导电结构及其制备方法，所述金属镁基UVC波段透明导电结构包括两层Mg基化合物层，所述两层Mg基化合物层之间设置有金属Mg层。所述金属镁基UVC波段透明导电结构的制备方法包括以下步骤：选取衬底，清洗衬底；选择高纯镁为靶材，通过磁控溅射方法沉积Mg基化合物层和金属Mg层，得到Mg基化合物/Mg/Mg基化合物多层结构。本发明所述金属镁基UVC波段透明导电结构在UVC波段具有优良的透明导电性，其制备方法步骤科学、易行，有效的解决了目前UVC波段透明导电材料制备难题。 | ||
| 申请公布号 | CN104894520A | 申请公布日期 | 2015.09.09 |
| 申请号 | CN201510226430.X | 申请日期 | 2015.05.06 |
| 申请人 | 大连理工大学 | 发明人 | 夏晓川;梁红伟;杜国同;柳阳;申人升 |
| 分类号 | C23C14/35(2006.01)I;C23C14/06(2006.01)I;C23C14/18(2006.01)I;B32B15/04(2006.01)I;B32B9/04(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/35(2006.01)I |
| 代理机构 | 大连星海专利事务所 21208 | 代理人 | 裴毓英 |
| 主权项 | 一种金属镁基UVC波段透明导电结构，其特征在于，包括两层Mg基化合物层，所述两层Mg基化合物层之间设置有金属Mg层。 | ||
| 地址 | 116024 辽宁省大连市甘井子区凌工路2号 | ||