发明名称 光致抗蚀剂及其使用方法
摘要 光致抗蚀剂及其使用方法。提供了一种新型的光致抗蚀剂,其包含多酮组分,且特别适用于离子注入光刻应用。本发明优选的光致抗蚀剂对位于其下的无机表面例如SiON、氧化硅、氮化硅、硅酸铪、硅酸锆和其它无机表面,能显示出优良的粘性。提供了一种提供离子注入的半导体基材的方法,所述方法包含:提供其上涂敷有化学增幅型的正性光致抗蚀剂组合物浮雕图像的半导体基材,其中光致抗蚀剂包含1)树脂、2)光敏组分和3)多酮组分;和施加离子到基材上。
申请公布号 CN102592978B 申请公布日期 2015.09.09
申请号 CN201110463160.6 申请日期 2011.12.30
申请人 罗门哈斯电子材料有限公司 发明人 G·珀勒斯;S·J·卡波拉勒
分类号 H01L21/266(2006.01)I;H01L21/027(2006.01)I;G03F7/039(2006.01)I;G03F7/00(2006.01)I 主分类号 H01L21/266(2006.01)I
代理机构 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人 陈哲锋
主权项 一种提供离子注入的半导体基材的方法,所述方法包含:提供其上涂敷有化学增幅型的正性光致抗蚀剂组合物浮雕图像的半导体基材,其中光致抗蚀剂包含1)树脂、2)光敏组分和3)多酮组分;和施加离子到基材上,所述多酮组分通过聚合一种或多种式(I)表示的单体来提供:<img file="FDA0000710571830000011.GIF" wi="773" he="338" />其中R是氢或任选取代的C<sub>1‑6</sub>烷基;并且X是氢或提供光酸不稳定基的部分。
地址 美国马萨诸塞州