双有源层结构氧化锌基薄膜晶体管及其制备方法

摘要

本发明公开了双有源层结构氧化锌基薄膜晶体管，由下至上依次包括衬底、栅极、栅绝缘介质层、第一氧化锌基半导体有源层、第二氧化锌基半导体有源层、源极和漏极；栅极于衬底上形成，栅绝缘介质层覆盖栅极和衬底，有源层于栅绝缘介质层上形成；第二氧化锌基半导体有源层上设有源电极和漏电极；第一氧化锌基半导体有源层的掺杂元素为Ga、Al、Hf、In、Sn中的一种或两种；第二氧化锌基半导体有源层为掺硅氧化锌薄膜，且电阻值高于第一氧化锌基半导体有源层。本发明可以有效降低氧化锌基薄膜晶体管的关态电流，提高开关电流比，提高可见光范围内的透光性，改善器件的稳定性。

主权项

双有源层结构氧化锌基薄膜晶体管，其特征在于，由下至上依次包括衬底、栅极、栅绝缘介质层、第一氧化锌基半导体有源层、第二氧化锌基半导体有源层，所述第二氧化锌基半导体有源层上设有源极和漏极；所述第二氧化锌基半导体有源层的电阻值高于第一氧化锌基半导体有源层。