一种嵌入式锗硅结构的制作方法

摘要

本发明公开了一种嵌入式锗硅结构的制作方法，首先在衬底上形成硬质掩膜层，并选择性的去除衬底的源/漏区的硬质掩膜层；接着以所述硬质掩膜层为掩膜，刻蚀衬底的源/漏区以形成U形凹槽；然后在U形凹槽内外延生长锗硅层，锗硅层能覆盖U形凹槽底部的半导体衬底而露出U形凹槽侧壁上的半导体衬底；再接着在U形凹槽的侧壁和底部外延生长硅层；最后采用晶向选择性刻蚀工艺部分刻蚀露出所述U形凹槽侧壁上的半导体衬底，形成Σ状的第二凹槽。本发明在U形凹槽的底部形成锗硅保护层后，通过外延生长一薄硅层，从而在后续刻蚀工艺过程中避开了SiGe/Si连接处会产生坏点缺陷，优化了嵌入式锗硅结构，保证了工艺的稳定性。

主权项

一种嵌入式锗硅结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S01、提供一半导体衬底，在所述衬底上形成硬质掩膜层，并选择性的去除所述衬底的源/漏区的硬质掩膜层；步骤S02、以所述硬质掩膜层为掩膜，刻蚀所述衬底的源/漏区以形成U形凹槽；步骤S03、在所述U形凹槽内外延生长锗硅层，所述锗硅层能覆盖U形凹槽底部的半导体衬底而露出U形凹槽侧壁上的半导体衬底；步骤S04、在所述U形凹槽的侧壁和底部外延生长硅层；步骤S05、采用晶向选择性刻蚀工艺部分刻蚀露出所述U形凹槽侧壁上的半导体衬底，形成Σ状的第二凹槽。