发明名称 | 一种晶圆表面大深宽比TSV盲孔的清洗方法 | ||
摘要 | 本发明公开了一种晶圆表面大深宽比TSV盲孔的清洗方法,取若干晶圆放入超声擦片机中,利用去离子水冲洗的同时进行超声擦片;超声擦片结束后直接将晶圆从超声擦片机中取出,然后将晶圆放入纯IPA清洗液中清洗;将上述清洗过的晶圆取出置于纯EKC清洗液中清洗;将上述清洗过的晶圆取出置于纯IPA清洗液中清洗;将上述清洗过的晶圆取出置于去离子水槽中冲洗;将上述冲洗过的晶圆甩干。本发明采用晶圆生产线现有设备和现有清洗液,生产成本较低,且能够实现多片同时清洗,生产效率较高,满足大规模生产的需求。 | ||
申请公布号 | CN104900493A | 申请公布日期 | 2015.09.09 |
申请号 | CN201510259860.1 | 申请日期 | 2015.05.20 |
申请人 | 中国航天科技集团公司第九研究院第七七一研究所 | 发明人 | 贺欣;单光宝;孙有民;杜欣荣;李翔 |
分类号 | H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
代理机构 | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人 | 徐文权 |
主权项 | 一种晶圆表面大深宽比TSV盲孔的清洗方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤一:取若干晶圆放入超声擦片机中,利用去离子水冲洗的同时进行超声擦片;步骤二:超声擦片结束后直接将晶圆从超声擦片机中取出,然后将晶圆放入纯IPA清洗液中清洗;步骤三:将步骤二中清洗过的晶圆取出置于纯EKC清洗液中清洗;步骤四:将步骤三中清洗过的晶圆取出置于纯IPA清洗液中清洗;步骤五:将步骤四中清洗过的晶圆取出置于去离子水槽中冲洗;步骤六:将步骤五中冲洗过的晶圆甩干。 | ||
地址 | 710068 陕西省西安市太白南路198号 |