| 发明名称 | LED外延结构及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种LED外延结构及其制备方法，LED外延结构从下向上依次包括衬底，N型GaN层，InGaN/GaN量子阱层，电子阻挡层，P型GaN层，接触层；P型GaN层和接触层之间还生长有空穴扩展层。空穴扩展层为非故意掺杂的Al<sub>x</sub>Ga<sub>(1-x)</sub>N层，Al<sub>x</sub>Ga<sub>(1-x)</sub>N层中x的取值范围为0.05~0.20，Al<sub>x</sub>Ga<sub>(1-x)</sub>N层的厚度范围为10~40nm。本发明的Al<sub>x</sub>Ga<sub>(1-x)</sub>N层具有较高能隙，从正极流出的空穴经过Al<sub>x</sub>Ga<sub>(1-x)</sub>N层后会被均匀分散，然后空穴流到InGaN/GaN量子阱层中与电子复合而产生光子，可提高发光均匀性，且无需借助复杂的芯片工艺就可以解决LED芯片中电流拥堵的问题。 | ||
| 申请公布号 | CN104900776A | 申请公布日期 | 2015.09.09 |
| 申请号 | CN201510366989.2 | 申请日期 | 2015.06.29 |
| 申请人 | 聚灿光电科技股份有限公司 | 发明人 | 冯猛;陈立人;刘恒山 |
| 分类号 | H01L33/14(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/14(2010.01)I |
| 代理机构 | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人 | 杨林洁 |
| 主权项 | 一种LED外延结构，其特征在于，所述LED外延结构从下向上依次包括：衬底，N型GaN层，InGaN/GaN量子阱层，电子阻挡层，P型GaN层，接触层；所述P型GaN层和所述接触层之间还生长有空穴扩展层。 | ||
| 地址 | 215123 江苏省苏州市工业园区新庆路8号 | ||