| 发明名称 | 一种金属栅极的形成方法 | ||
| 摘要 | 一种金属栅极的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括第一晶体管区和第二晶体管区；在所述半导体衬底上形成掺杂的替代栅，所述替代栅同时位于所述第一晶体管区和第二晶体管区内；第一干法刻蚀所述第一晶体管区的替代栅，形成第一沟槽，湿法清洗所述第一沟槽；在第一沟槽内填充满金属，形成第一金属栅极；第二干法刻蚀所述第二晶体管区的替代栅，形成第二沟槽，并在第二沟槽内形成第二金属栅极。本发明的方法能干净的去除替代栅，提高金属栅极的功函数。 | ||
| 申请公布号 | CN103107074B | 申请公布日期 | 2015.09.02 |
| 申请号 | CN201110357958.2 | 申请日期 | 2011.11.11 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 倪景华;李凤莲 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种金属栅的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括第一晶体管区和第二晶体管区；在所述半导体衬底上形成掺杂的替代栅，所述替代栅同时位于所述第一晶体管区和第二晶体管区内；第一干法刻蚀所述第一晶体管区的替代栅，形成第一沟槽，所述第一沟槽内残留有多晶硅，且所述第一沟槽与第二晶体管区的替代栅具有交界面，湿法清洗所述第一沟槽；在第一沟槽内填充满金属，形成第一金属栅极；第二干法刻蚀所述第二晶体管区的替代栅，形成第二沟槽，并在第二沟槽内形成第二金属栅极。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||