发明名称 高频等离子体处理装置和高频等离子体处理方法
摘要 本发明提供在与被施加高频电力的电极接触的绝缘物的部分难以产生沿面放电的高频等离子体处理装置以及高频等离子体处理方法。本发明的高频等离子体处理装置,具有与绝缘物(17)接触的电极(13),对电极(13)施加高频电力,利用由此生成的等离子体对基板(G)进行等离子体处理,该高频等离子体处理装置包括:进行等离子体处理的处理室(4);收纳与绝缘物(17)接触的状态的电极(13)的电极收纳部(3);对电极(13)施加高频电力的高频电源(15);和湿度调整单元(58),其调整电极收纳部(3)内的湿度,使得不在电极收纳部(3)内产生沿面放电。
申请公布号 CN104882376A 申请公布日期 2015.09.02
申请号 CN201510090022.6 申请日期 2015.02.27
申请人 东京毅力科创株式会社 发明人 东条利洋;佐佐木和男
分类号 H01L21/3065(2006.01)I;H01L21/66(2006.01)I 主分类号 H01L21/3065(2006.01)I
代理机构 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 代理人 龙淳
主权项 一种高频等离子体处理装置,其具有与绝缘物接触的电极,对所述电极施加高频电力,利用由此生成的等离子体对基板进行等离子体处理,所述高频等离子体处理装置的特征在于,包括:对基板进行等离子体处理的处理室;收纳与所述绝缘物接触的状态的所述电极的电极收纳部;对所述电极施加高频电力的高频电源;和湿度调整单元,其调整所述电极收纳部内的湿度,使得不在所述电极收纳部内产生沿面放电。
地址 日本东京都