发明名称 |
一种电致发光器件及其制备方法、背光源组件、显示装置 |
摘要 |
本发明实施例提供了一种电致发光器件及其制备方法、背光源组件、显示装置,涉及显示技术领域,可降低衬底成本,同时减小外延层中的结构缺陷,实现大面积发光源的量产化。该电致发光器件的制备方法包括在衬底层上形成缓冲层的步骤;所述在衬底层上形成缓冲层的步骤包括:在基底层上形成缓冲层;其中,构成所述基底层的材料与构成所述缓冲层的材料晶格常数相匹配;采用图案转印工艺,将包括有所述缓冲层与所述基底层的层叠结构转印至所述衬底层上;其中,所述缓冲层与所述衬底层直接接触;去除所述基底层,露出所述缓冲层。用于电致发光器件及包括该电致发光器件的背光源组件、显示装置的制备。 |
申请公布号 |
CN104882518A |
申请公布日期 |
2015.09.02 |
申请号 |
CN201510209466.7 |
申请日期 |
2015.04.28 |
申请人 |
京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司 |
发明人 |
王晨如;董学;王光泉;孙海威;陈丽莉;翟明;董瑞君 |
分类号 |
H01L33/00(2010.01)I;H01L33/40(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/00(2010.01)I |
代理机构 |
北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 |
代理人 |
申健 |
主权项 |
一种电致发光器件的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括:在衬底层上形成缓冲层的步骤;所述在衬底层上形成缓冲层的步骤包括:在基底层上形成缓冲层;其中,构成所述基底层的材料与构成所述缓冲层的材料晶格常数相匹配;采用图案转印工艺,将包括有所述缓冲层与所述基底层的层叠结构转印至所述衬底层上;其中,所述缓冲层与所述衬底层直接接触;去除所述基底层,露出所述缓冲层。 |
地址 |
100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 |