一种超低衰减单模光纤

摘要

本发明涉及一种超低衰减单模光纤，包括有芯层和包层，其特征在于芯层半径R₁为3.8～4.5μm，Δ1为-0.05％～0.12％，芯层外从内向外依次包覆内包层，第一下陷内包层，中间内包层，第二下陷内包层，辅助外包层和外包层，内包层半径R₂为8～15μm，Δ2为-0.35％～-0.15％，第一下陷内包层半径R₃为13～20μm，Δ3为-0.8％～-0.35％，中间内包层半径R₄为16～23μm，Δ4为-0.45％～-0.15％；第二下陷内包层半径R₅为20～30μm，Δ5为-0.6％～-0.25％；辅助外包层半径R₆为35～50μm，Δ6范围为-0.45％～-0.15％；外包层为纯二氧化硅玻璃层。本发明在获得较低衰减系数的同时，各个光学参数满足G.652.B标准要求，并且具有较好的弯曲损耗、色散性能。

主权项

一种超低衰减单模光纤，包括有芯层和包层，其特征在于所述的芯层半径R₁为3.8～4.5μm，芯层相对折射率差Δ1为‑0.05%～0.12%，芯层外从内向外依次包覆内包层，第一下陷内包层，中间内包层，第二下陷内包层，辅助外包层和外包层，所述的光纤的内包层半径R₂为8～15μm，相对折射率差Δ2为‑0.35%～‑0.15%，所述的第一下陷内包层半径R₃为13～20μm，相对折射率差Δ3为‑0.8%～‑0.35%，中间内包层半径R₄为16～23μm，相对折射率差Δ4为‑0.45%～‑0.15%；第二下陷内包层半径R₅为20～30μm，相对折射率差Δ5为‑0.6%～‑0.25%；所述的辅助外包层半径R₆为35～50μm，相对折射率差Δ6范围为‑0.45%～‑0.15%；所述外包层为纯二氧化硅玻璃层。