| 发明名称 | 低介电常数及低光泽度之聚醯亚胺膜及其制备方法 | ||
| 摘要 | |||
| 申请公布号 | TWI498364 | 申请公布日期 | 2015.09.01 |
| 申请号 | TW103115180 | 申请日期 | 2014.04.28 |
| 申请人 | 达迈科技股份有限公司 | 发明人 | 赖俊廷;林志维 |
| 分类号 | C08J5/18;C08L79/08;C08K3/04 | 主分类号 | C08J5/18 |
| 代理机构 | 代理人 | 邵琼慧 台北市松山区敦化北路168号15楼 | |
| 主权项 | 一种聚醯亚胺膜，系包括：构成该膜主结构之聚醯亚胺，系由二胺单体及二酐单体经缩合反应而形成；碳黑，占该膜总重量之0.5wt%至5wt%；以及含氟高分子，占该膜总重量之15wt%至40wt%；其中，该碳黑及该含氟高分子系分布于该聚醯亚胺膜中，该聚醯亚胺膜之介电常数(Dk)低于3.05，且光泽度值为10以下。 | ||
| 地址 | 新竹县新埔镇文德路3段127号 | ||