发明名称 |
氧化物半导体薄膜晶体管及其制造方法 |
摘要 |
一种氧化物半导体薄膜晶体管包括源极、漏极、信道层、绝缘层、第一导体以及第二导体。信道层设置于源极以及漏极之间且与源极以及漏极彼此分离。绝缘层覆盖源极、漏极以及信道层。第一导体至少设置于绝缘层的第一开口中以与源极以及信道层接触。第二导体至少设置于绝缘层的第二开口中以与漏极以及信道层接触。 |
申请公布号 |
CN103354244B |
申请公布日期 |
2015.08.26 |
申请号 |
CN201310273449.0 |
申请日期 |
2013.07.02 |
申请人 |
华映视讯(吴江)有限公司;中华映管股份有限公司 |
发明人 |
张锡明 |
分类号 |
H01L29/786(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/34(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/786(2006.01)I |
代理机构 |
上海汉声知识产权代理有限公司 31236 |
代理人 |
胡晶 |
主权项 |
一种氧化物半导体薄膜晶体管,其特征在于,包括:一源极以及一漏极;一信道层,设置于该源极以及该漏极之间且与该源极以及该漏极彼此分离;一绝缘层,覆盖该源极、该漏极以及该信道层,该绝缘层具有一第一开口以及一第二开口,该第一开口暴露出部分该源极以及部分该信道层,该第二开口暴露出部分该漏极以及部分该信道层;一第一导体,至少设置于该第一开口中以与该源极以及该信道层耦接;以及一第二导体,至少设置于该第二开口中以与该漏极以及该信道层耦接。 |
地址 |
215217 江苏省苏州市吴江经济开发区同里分区江兴东路555号 |