晶体管内与先进的硅化物形成结合的凹槽式漏极和源极区

摘要

在形成复杂的晶体管元件的制造工艺中，可减少栅极的高度，也可在各自的金属硅化物区域形成之前，在共同的蚀刻序列得到漏极和源极配置。因为在蚀刻序列时，相应的侧壁间隔结构可维持，因此可控性和栅电极内的硅化处理的统一性可加强，从而得到减少程度的阈值变异性。此外，可提供凹槽式漏极和源极配置以减少整体串联电阻和增加应力传递效率。

主权项

一种制造半导体器件的方法，包括：于具有第一漏极和源极区的第一晶体管的第一栅电极的侧壁上形成间隔结构；于具有第二栅电极的第二晶体管的第二漏极和源极区中形成半导体合金；将该第一和第二漏极和源极区和该第一和第二栅电极暴露于蚀刻环境，以至少从该第一栅电极选择性地移除材料至该间隔结构，其中，在暴露该第二漏极和源极区于该蚀刻环境前，形成该半导体合金，该半导体合金带有多余的高度，以在该第一晶体管的该漏极和源极区和该第一栅电极与该第二晶体管的该漏极和源极区和该第二栅电极暴露于该蚀刻环境后，确定该第二晶体管的该第二漏极和源极区的目标高度水平，该目标高度水平对应于非凹槽式漏极和源极配置；移除该材料后，于该第一晶体管的该漏极和源极区和该第一栅电极中形成金属硅化物材料，相较于该栅电极下的栅极绝缘层的下表面定义的高度水平，该金属硅化物材料的上表面置于较低的高度水平；以及于该第一晶体管的该第一栅电极和该漏极和源极区上面形成应变诱导层。