| 发明名称 | 结壳热阻测试方法 | ||
| 摘要 | 一种结壳热阻测试方法，包括以下步骤：（1）测量干接触条件下待测器件的瞬态降温曲线；（2）测量湿接触条件下待测器件的瞬态降温曲线；（3）计算干接触条件下的瞬态降温曲线和湿接触条件下的瞬态降温曲线温度变化幅度的差△T；（4）将测试设备中的恒温散热冷板温度升高△T，再次测量湿接触条件下的瞬态降温曲线；（5）使用步骤（1）测得的干接触瞬态降温曲线和步骤（4）测得的湿接触瞬态降温曲线计算结壳热阻。 | ||
| 申请公布号 | CN103175861B | 申请公布日期 | 2015.08.26 |
| 申请号 | CN201310054317.9 | 申请日期 | 2013.02.20 |
| 申请人 | 中国科学院电工研究所 | 发明人 | 仇志杰;张瑾;温旭辉 |
| 分类号 | G01N25/20(2006.01)I | 主分类号 | G01N25/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 | 代理人 | 关玲 |
| 主权项 | 一种结壳热阻测试方法，其特征在于，所述的测试方法包括以下步骤：(1)测量干接触条件下待测半导体器件的芯片的瞬态降温曲线；(2)测量湿接触条件下待测半导体器件的芯片的瞬态降温曲线；(3)计算干接触条件下的瞬态降温曲线和湿接触条件下的瞬态降温曲线温度变化幅度的差△T；(4)将测试设备中的恒温散热冷板温度升高△T，再次测量湿接触条件下的瞬态降温曲线；(5)使用步骤(1)测得的干接触瞬态降温曲线和步骤(4)测得的湿接触瞬态降温曲线计算结壳热阻；所述的步骤(5)计算结壳热阻方法包括如下步骤：(5.1)通过所述的步骤(1)和步骤(4)得到的瞬态降温曲线计算瞬态热阻抗曲线；(5.2)通过步骤(5.1)得到的瞬态热阻抗曲线计算分离点曲线；(5.3)通过步骤(5.2)分离点曲线使用分离判据计算结壳热阻。 | ||
| 地址 | 100190 北京市海淀区中关村北二条6号 | ||