发明名称 |
一种氮化硅波导布拉格光栅折射率传感芯片及其制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种氮化硅波导布拉格光栅折射率传感芯片。包括基底、下包层、上包层、芯层;下包层在基底的上表面;芯层在下包层的上表面;芯层上表面以及芯层周侧的下包层上表面均与上包层的下表面贴合;波导芯层中心区域的宽度呈周期性变化构成波导布拉格光栅;挖空覆盖于波导布拉格光栅的上包层形成凹槽;凹槽中的待测液体与芯层接触;通过检测波导布拉格光栅中心波长的偏移量实现折射率传感。本发明还提供了该芯片的制备方法:在基底上制作二氧化硅下包层,在下包层上制作氮化硅芯层,在芯层上制作矩形波导和波导布拉格光栅结构,然后制作二氧化硅上包层,最后挖空上包层中心区域形成凹槽。该传感器芯片在生化传感领域有广泛的应用前景。 |
申请公布号 |
CN104865223A |
申请公布日期 |
2015.08.26 |
申请号 |
CN201510280048.7 |
申请日期 |
2015.05.27 |
申请人 |
东南大学 |
发明人 |
恽斌峰;胡国华;张若虎;钟嫄;崔一平 |
分类号 |
G01N21/41(2006.01)I |
主分类号 |
G01N21/41(2006.01)I |
代理机构 |
南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 |
代理人 |
吴旭 |
主权项 |
一种氮化硅波导布拉格光栅折射率传感芯片,其特征在于:包括从下而上依次设置的基底(1)、下包层(2)、芯层(3)以及上包层(4);所述下包层和上包层均采用折射率为1.44~1.45的二氧化硅制备,所述芯层(3)包括依次顺序设置的输入光波导(6)、波导布拉格光栅(5)以及输出光波导(7),所述波导布拉格光栅(5)采用折射率为2.0的氮化硅制备;所述上包层(4)为环状结构,所述波导布拉格光栅(5)正对所述环状结构的上包层(4)所形成的通孔中央位置,所述环状结构的上包层(4)所形成的通孔用于容纳待测液体。 |
地址 |
211189 江苏省南京市江宁区东南大学路2号 |