制造三维结构存储元件的方法及装置

摘要

一种三维结构存储元件的制造方法包括：在基底上交替层叠一个以上绝缘层和一个以上牺牲层的步骤；形成贯通所述绝缘层和所述牺牲层的贯通孔的步骤；形成填充所述贯通孔的图形的步骤；形成贯通所述绝缘层和所述牺牲层的开口的步骤；以及通过所述开口供给蚀刻剂而去除所述牺牲层的步骤。其中，所述层叠绝缘层的步骤包括向所述基底供给选自SiH₄、Si₂H₆、Si₃H₈、Si₄H₁₀群中的一种以上气体而蒸镀氧化硅膜的步骤，所述层叠牺牲层的步骤包括向所述基底供给选自SiH₄、Si₂H₆、Si₃H₈、Si₄H₁₀、SiCl₂H₂群中的气体和基于氨的气体而蒸镀氮化膜的步骤。

主权项

一种三维结构存储元件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：在基底上交替层叠一个以上绝缘层和一个以上牺牲层的步骤；形成贯通所述绝缘层和所述牺牲层的贯通孔的步骤；形成填充所述贯通孔的图形的步骤；形成贯通所述绝缘层和所述牺牲层的开口的步骤；以及通过所述开口供给蚀刻剂而去除所述牺牲层的步骤，其中，所述层叠绝缘层的步骤包括向所述基底供给选自SiH₄、Si₂H₆、Si₃H₈、Si₄H₁₀群中的一种以上气体以及选自基于乙基的气体、基于甲基的气体群中的一种以上气体而蒸镀氧化硅膜的步骤，所述层叠牺牲层的步骤包括向所述基底供给选自SiH₄、Si₂H₆、Si₃H₈、Si₄H₁₀、SiCl₂H₂群中的气体和基于氨的气体而蒸镀氮化膜的步骤，所述氧化硅膜为SiCO，所述蚀刻剂选自H₃PO₄、HF、缓冲氧化蚀刻剂BOE中的一种以上，所述绝缘层和所述牺牲层对所述蚀刻剂具有刻蚀选择比，以及所述牺牲层的蚀刻率大于所述绝缘层的蚀刻率。