| 主权项 |
一种保护晶片级尺寸封装中导电接触之制造方法，包括：对一封装结构进行一第一晶粒切割，该封装结构包括：一元件晶圆，包括：一第一晶粒，其中该第一晶粒包括一第一接触垫；以及一第二晶粒，其中该第二晶粒包括一第二接触垫；一载体晶圆，与该元件晶圆接合，其中该第一晶粒切割于该封装结构中形成一第一沟槽，其中该第一以及该第二接触垫之侧面边缘暴露于该第一沟槽；一透明晶圆；以及一坝状层，将该透明晶圆与该元件晶圆接合，其中该第一沟槽延伸至该坝状层内部，且并未延伸入该透明晶圆内；形成一第一金属导线以及一第二金属导线，延伸进入该第一沟槽内，并分别与该第一以及该第二接触垫之侧面边缘接触，其中该第一以及该第二金属导线透过一金属连接部份形成连结；进行一预切步骤，将该金属连接部份切开，以将该第一以及该第二金属导线分离，其中该金属连接部份经过该预切步骤后的剩余部份包括复数个边缘处；形成一第一介电涂层于该第一以及该第二金属导线之上；以及
进行一第二晶粒切割将该封装结构切开，其中该第一以及该第二晶粒分别被分割为一第一部份及一第二部份，其中该第一部份及该第二部份中该金属连接部份之残余部份的边缘被该第一介电涂层所覆盖。
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