发明名称 半导体器件,其制造方法及电子装置
摘要
申请公布号 TWI497696 申请公布日期 2015.08.21
申请号 TW099136226 申请日期 2010.10.22
申请人 新力股份有限公司 发明人 高桥洋;梅林拓
分类号 H01L27/14 主分类号 H01L27/14
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项 一种半导体器件,该半导体器件包括:一第一半导体区段,在其一侧处包含一第一布线层;一第二半导体区段,在其一侧处包含一第二布线层,该第一半导体区段与第二半导体区段以该第一半导体区段及第二半导体区段之各别第一布线层侧与第二布线层侧面对彼此之方式固定在一起;一导电材料,其穿过该第一半导体区段延伸至该第二半导体区段之该第二布线层且该第一布线层与第二布线层藉助该导电材料电连通;及一开口,其经由该第一半导体区段延伸而暴露该第二布线层,该经暴露之第二布线层作用为一电极垫部分。
地址 日本