一种阵列化图形转移的GaN基复合衬底

摘要

本实用新型涉及一种阵列化图形转移的GaN基复合衬底，包括导热导电转移衬底、位于该衬底上的导热导电键合介质层、及其上阵列化分布的GaN基外延薄膜。其中，GaN基外延薄膜是用激光刻划成阵列化小尺寸薄膜后，通过介质键合和衬底剥离工艺，将阵列化分布的GaN基外延薄膜转移至转移衬底上。本实用新型复合衬底，既兼顾以往转移衬底技术实现的复合衬底具备的适用于GaN同质外延及可直接制备垂直结构LED器件的优点，简化工艺，降低成本，又能有效降低衬底转移过程中的应力，减少基片翘曲、褶皱和微裂纹产生，且能解决因芯片切割造成的GaN薄膜损伤、介质层材料喷溅和器件短路问题，从而提高GaN基复合衬底及所制备芯片的性能。

主权项

一种阵列化图形转移的GaN基复合衬底，其特征在于，它包括导热导电转移衬底(1)、位于其上的导热导电键合介质层(2)、位于键合介质层(2)上的阵列化图形转移的GaN基外延薄膜(3)。