背照式CMOS影像传感器的制造方法

摘要

本发明提供了一种背照式CMOS影像传感器的制造方法，所述背照式CMOS影像传感器的制造方法包括：提供器件晶圆及功能器件；利用键合工艺将所述器件晶圆及功能器件结合在一起；利用金属硬掩膜作为掩膜，刻蚀所述器件晶圆及功能器件，形成接触孔。通过该方法能够形成质量可靠的接触孔，从而可获取可靠性高的增强型器件晶圆，并进而提高了背照式CMOS影像传感器的质量。

主权项

一种背照式CMOS影像传感器的制造方法，其特征在于，包括：提供器件晶圆及功能器件，所述器件晶圆包括基底及形成于所述基底上的金属介质层，所述金属介质层中包括第一连接金属；所述功能器件包括第二连接金属；利用键合工艺将所述器件晶圆及功能器件结合在一起；利用金属硬掩膜作为掩膜，刻蚀所述器件晶圆及功能器件，形成接触孔；其中，形成接触孔的工艺包括如下步骤：刻蚀所述器件晶圆，形成第一接触孔，所述第一接触孔露出所述第一连接金属；在所述第一接触孔内刻蚀所述功能器件或者刻蚀所述器件晶圆和功能器件，形成第二接触孔，所述第二接触孔露出所述第二连接金属；或，形成接触孔的工艺包括如下步骤：利用光阻作为掩膜，对所述器件晶圆执行刻蚀工艺，形成部分第一接触孔；利用金属硬掩膜作为掩膜，在部分第一接触孔内对所述功能器件或者对所述器件晶圆和功能器件执行刻蚀工艺，形成完整的第一接触孔；刻蚀所述器件晶圆，形成第二接触孔，所述第二接触孔露出所述第一连接金属。