光波导耦合结构的制作方法

摘要

一种光波导耦合结构的制作方法，包括步骤：提供绝缘体上硅衬底，所述绝缘体上硅衬底包括依次堆叠的基底层、氧化掩埋层和单晶硅层；刻蚀所述单晶硅层至露出所述氧化掩埋层表面，形成至少一个下层光波导；刻蚀所述下层光波导，在所述下层光波导的其中一个端部形成交替排列的沟槽和凸起，所述沟槽和凸起构成下层周期光栅；形成覆盖所述下层光波导和下层周期光栅的第一介质层；在第一介质层上形成上层光波导和上层周期光栅，所述上层周期光栅与下层周期光栅位置对应，所述上层周期光栅位于上层光波导的一个端部。本发明的方法改善了光波导的布局，提高光波导的传输性能。

主权项

一种光波导耦合结构的制作方法，其特征在于，包括步骤：提供绝缘体上硅衬底，所述绝缘体上硅衬底包括依次堆叠的基底层、氧化掩埋层和单晶硅层；刻蚀所述单晶硅层露出所述氧化掩埋层表面，形成至少一个下层光波导；刻蚀所述下层光波导，在所述下层光波导的其中一个端部形成交替排列的沟槽和凸起，所述沟槽和凸起构成下层周期光栅；形成覆盖所述下层光波导和下层周期光栅的第一介质层；在第一介质层上形成上层光波导和上层周期光栅，所述上层周期光栅与下层周期光栅位置对应，所述上层周期光栅位于上层光波导的一个端部，所述上层周期光栅和下层周期光栅构成光波导的耦合结构，其中，所述上层光波导和上层周期光栅的形成方法为：刻蚀所述第一介质层，在所述第一介质层表面形成交替排列的第一介质层凸起和第一介质层沟槽，所述第一介质层凸起和第一介质层沟槽与下层周期光栅位置对应；形成覆盖所述第一介质层、第一介质层凸起和第一介质层沟槽的波导薄膜层；刻蚀所述波导薄膜层，形成上层光波导和上层周期光栅，所述上层周期光栅与下层周期光栅位置对应，所述上层周期光栅位于上层光波导的一个端部。