发明名称 |
半导体器件和用于制造该半导体器件的方法 |
摘要 |
由于显示器具有更高的清晰度,像素、栅极线和信号线的数目增加。当栅极线和信号线的数目增加时,出现更高制造成本的问题,因为难以通过接合或类似方式安装包括用于驱动该栅极和信号线的驱动电路的IC芯片。像素部分和用于驱动该像素部分的驱动电路提供在相同衬底之上,并且该驱动电路的至少一部分包括使用氧化物半导体的薄膜晶体管,该氧化物半导体插入提供在氧化物半导体上面和下面的栅电极之间。因此,当像素部分和驱动器部分提供在相同衬底之上时,制造成本可以降低。 |
申请公布号 |
CN102509736B |
申请公布日期 |
2015.08.19 |
申请号 |
CN201110421039.7 |
申请日期 |
2009.09.28 |
申请人 |
株式会社半导体能源研究所 |
发明人 |
宫入秀和;长多刚;山崎舜平 |
分类号 |
H01L29/786(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/786(2006.01)I |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 72001 |
代理人 |
张金金;朱海煜 |
主权项 |
一种半导体器件,包括:第一薄膜晶体管;以及第二薄膜晶体管,其中所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管中的每一个包括:第一栅电极;以及所述第一栅电极之上的氧化物半导体层,其中所述第二薄膜晶体管还包括所述第二薄膜晶体管的所述氧化物半导体层之上的第二栅电极,其中在沟道宽度方向上,所述第二栅电极的第一宽度大于所述第二薄膜晶体管的所述氧化物半导体层的第一宽度,其中在沟道长度方向上,所述第二栅电极的第二宽度大于所述第二薄膜晶体管的所述氧化物半导体层的第二宽度,其中在所述沟道宽度方向上,所述第二薄膜晶体管的所述第一栅电极的宽度大于所述第二薄膜晶体管的所述氧化物半导体层的所述第一宽度,其中所述第一薄膜晶体管放置在像素部中,其中所述第二薄膜晶体管用于驱动电路,以及其中所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管中的每一个的所述氧化物半导体层包括铟、锌以及不同于铟和锌的金属。 |
地址 |
日本神奈川县厚木市 |