| 发明名称 | 利用电子阻挡层降低暗电流的InGaAs探测器及制备 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种利用电子阻挡层降低暗电流的InGaAs探测器及其制备方法。在In<sub>k</sub>Ga<sub>1-k</sub>As吸收层中加入应变补偿超晶格电子阻挡层，利用超晶格导带势垒阻挡电子降低暗电流。其制备方法包括：先在衬底上生长高掺杂P型In<sub>k</sub>Al<sub>1-k</sub>As缓冲层，所述缓冲层同时作为下接触层；生长低掺杂N型In<sub>k</sub>Ga<sub>1-k</sub>As吸收层；生长应变补偿超晶格电子阻挡插入层，掺杂情况与吸收层相同为低掺杂N型；继续生长低掺杂N型In<sub>k</sub>Ga<sub>1-k</sub>As吸收层；生长高掺杂N型In<sub>k</sub>Al<sub>1-k</sub>As上接触层，完成此探测器结构材料的生长。本发明能够利用电子阻挡层降低探测器暗电流。 | ||
| 申请公布号 | CN103077995B | 申请公布日期 | 2015.08.19 |
| 申请号 | CN201310013398.8 | 申请日期 | 2013.01.15 |
| 申请人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明人 | 顾溢;张永刚 |
| 分类号 | H01L31/101(2006.01)I;H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/0304(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/101(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海泰能知识产权代理事务所 31233 | 代理人 | 宋缨;孙健 |
| 主权项 | 一种利用电子阻挡层降低暗电流的InGaAs探测器，包括In<sub>k</sub>Ga<sub>1‑k</sub>As吸收层(3)，其中，0<k<1，其特征在于，在In<sub>k</sub>Ga<sub>1‑k</sub>As吸收层(3)中加入应变补偿超晶格电子阻挡层(4)以降低暗电流；所述应变补偿超晶格电子阻挡层(4)为2个周期；所述应变补偿超晶格电子阻挡层(4)为In<sub>y</sub>Ga<sub>1‑y</sub>As/In<sub>z</sub>Ga<sub>1‑z</sub>As超晶格，其中，x<y≤1，0≤z<x。 | ||
| 地址 | 200050 上海市长宁区长宁路865号5号楼505室 | ||