发明名称 具有改良读取动态范围之矽基影像感测器;SILICON-BASED IMAGE SENSOR WITH IMPROVED READING DYNAMIC RANGE
摘要 在影像感测器中,像素之储存节点(NS)的有效电容系借助于其影响连接至该储存节点之随动电晶体(T3)的供应电压(VREFP)的反馈回路(100)以该储存节点的外显电容相依于该回路之增益(GL)的此种方式修改,该储存节点储存由该像素的光敏元件所收集的电荷(电子)。藉由修改该增益,修改该储存节点的该电容,且因此修改反比例于此电容的电荷/电压转换因子。
申请公布号 TW201532442 申请公布日期 2015.08.16
申请号 TW103137810 申请日期 2014.10.31
申请人 E2V半导体公司 E2V SEMICONDUCTORS 发明人 吉赛特 斯特凡 GESSET, STEPHANE
分类号 H04N5/378(2011.01);H04N5/3745(2011.01);H04N5/355(2011.01);H04N5/243(2006.01) 主分类号 H04N5/378(2011.01)
代理机构 代理人 林志刚
主权项
地址 法国 FR
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