| 摘要 |
<p>Ｘ線デジタルセンサ（１００）が開示される。Ｘ線デジタルセンサ（１００）内で、光子（２）を受け取り、電荷（１４）に変換するよう構成された半導体変換層（１０）が、好適にはＣＭＯＳ・ＡＳＩＣであり、且つ好適には六角形ハニカム状パターンで配置されるピクセル（２２）により形成される、半導体収集層（２０）と一体化される。当該ピクセルは変換層（１０）から電子（１６）を受け取るよう構成される。各収集ピクセル（２２）はＮ個の弁別器（２４ｉ）を含み、各弁別器（２４ｉ）は、導入口電荷（１４）と、それ自体の閾値（２５ｉ）とを比較するよう構成される。導入口電荷（１４）が当該閾値を越える場合には、各弁別器（２４ｉ）は０と１との間の即時遷移を行うよう構成される。その一方で、収集された電荷が、それぞれの弁別器（２４ｉ）における閾値よりも高い場合には、各弁別器（２４ｉ）に連結された計数器（２６ｉ）は不変に保たれ、収集された電荷が、すぐ上方の弁別器（２４ｉ＋１）の閾値（２５ｉ＋１）より低い場合には、各弁別器（２４ｉ）に連結された計数器（２６ｉ）は自身の計数を１だけ増加させる。その一方で、他の計数器は、計数器が隣接の閾値によって定められるＮ個の対応する帯域のエネルギーで光子（２）を測定するよう、それ自体の計数を不変に保つよう構成される。ピクセル（２２）全部に対して同時に作動されるための手段を含み、各ピクセル（２２）において、事前決定された数値のビットの組み合わせを受け取り、ビットの組み合わせに対応する電流を生成するよう構成された各弁別器（２４ｉ）に対するデジタル・アナログ変換器（ＤＡＣ、２８ｉ）と、各ピクセル（２２）の増幅手段（２０３）に電流を供給するための供給手段（２０６）と、各ピクセルに存在し、且つオフセット補正電流を特定するための反復手順（８０）を実行するよう構成された論理手段（３４）と、を含む較正手段が提供される。この反復手順では、ビットの組み合わせが生成され、供給手段（２０６）を通して増幅手段（２０３）に供給される対応するトライアル電流を生成するＤＡＣ（２８ｉ）に提供される。論理手段は計数器（２６ｉ）の計数を読み出し、計数がトライアル電流により増加する場合には当該手順を反復し、計数がトライアル電流により増加しない場合には、トライアル電流を補正電流としてピクセル（２２）のメモリユニット（３５）内に格納する。【選択図】図３</p> |
