发明名称 有机发光二极管结构、制作其的方法及显示面板
摘要 本发明提供一种有机发光二极管结构、制作有机发光二极管结构的方法及显示面板,有机发光二极管结构包含薄膜晶体管以及有机发光二极管。有机发光二极管制作于平坦化层上且具有上表面,上表面实质上与基板平行且有机发光二极管中各层亦彼此实质上平行。有机发光二极管的各层的大部分皆具有均匀的厚度,以使有机发光二极管可表现均匀的亮度。平坦化层覆盖薄膜晶体管,而位于薄膜晶体管之上的平坦化层亦为一绝缘层所覆盖。制作一开口,开口穿透位于薄膜晶体管之上的平坦化层和绝缘层以露出薄膜晶体管的部分漏极,使有机发光二极管的上电极与薄膜晶体管的漏极电性连接。此外在薄膜晶体管之上的绝缘层,亦设置有多个具有均一高度的间隙子以保护像素结构。
申请公布号 CN103280539B 申请公布日期 2015.08.12
申请号 CN201310067781.1 申请日期 2013.03.04
申请人 友达光电股份有限公司 发明人 谢信弘
分类号 H01L51/56(2006.01)I;H01L51/52(2006.01)I;H01L51/50(2006.01)I;H01L27/32(2006.01)I 主分类号 H01L51/56(2006.01)I
代理机构 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人 梁挥;王颖
主权项 一种在一基板上制作一有机发光二极管结构的方法,其特征在于,包含:提供一开关结构于该基板上,其中该开关结构包含一薄膜晶体管,该薄膜晶体管包含一源极、一栅极、以及一漏极;形成一第一绝缘层于该开关结构上;形成一第一电极层于部分的该第一绝缘层上;形成一第二绝缘层于该第一电极层和另一部分的该第一绝缘层上;形成一第一开口,其穿透该第二绝缘层,以露出部分的该第一电极层,以及形成一第二开口,其穿透该第一绝缘层和第二绝缘层,以露出部分的该漏极;形成一有机主动层,其通过该第一开口而覆盖于所露出的部分该第一电极层上;以及形成一第二电极层于该第二绝缘层和该有机主动层上,以使部分的该第二电极层和该有机主动层电性连接,进而与该第一电极层形成一发光二极管,而另一部分的该第二电极层通过该第二开口和露出的该部分漏极电性连接。
地址 中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行二路1号