发明名称 |
一种太阳能电池 |
摘要 |
一种太阳能电池,它包括顶电极、底电极、P型多晶硅和N型多晶硅,还包括P型非晶硅,P型多晶硅覆盖在N型多晶硅上,在P型多晶硅与N型多晶硅之间构成PN结,顶电极和底电极分别连接在P型多晶硅的上端面和N型多晶硅的下端面上,P型非晶硅覆盖在P型多晶硅及顶电极上,P型非晶硅与P型多晶硅之间构成同型异质结,P型非晶硅的厚度范围为0.01-1μm。本发明利用顶层宽禁带的非晶硅薄膜作光吸收层与多晶硅衬底构成异质结,利用底层窄禁带的多晶硅作光吸收层,在多晶硅中形成PN结,两结共用P型多晶硅层,减少一个电池间的界面,避免了电池间界面对于电流的复合作用,太阳能电池的光电转换效率比单结多晶硅电池提高5-10%。 |
申请公布号 |
CN104835864A |
申请公布日期 |
2015.08.12 |
申请号 |
CN201510082213.8 |
申请日期 |
2011.03.23 |
申请人 |
南通大学 |
发明人 |
程实;胡传志 |
分类号 |
H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/0376(2006.01)I;H01L31/0368(2006.01)I;H01L31/068(2012.01)I;H01L31/078(2012.01)I;H01L31/028(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/0224(2006.01)I |
代理机构 |
南京同泽专利事务所(特殊普通合伙) 32245 |
代理人 |
蔡晶晶 |
主权项 |
一种太阳能电池,包括一顶电极、一底电极、P 型多晶硅和N 型多晶硅,其特征在于还包括一层P 型非晶硅,所述P 型多晶硅连接在所述N 型多晶硅上,在P 型多晶硅与N 型多晶硅之间构成一个PN 结,所述顶电极和所述底电极分别连接在P 型多晶硅上表面和N 型多晶硅下表面,所述P 型非晶硅覆盖在P 型多晶硅及顶电极上,使顶电极位于P 型非晶硅与P 型多晶硅之间,P 型非晶硅与P 型多晶硅之间构成一个同型异质结;所述P 型非晶硅的厚度范围为0.01‑1μm。 |
地址 |
226019 江苏省南通市啬园路9号 |