| 发明名称 | 延长光刻胶有效使用寿命的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提出一种延长光刻胶有效使用寿命的方法，包括下列步骤：提供一半导体衬底；在所述半导体衬底上涂布底部抗反射涂层；在所述底部抗反射涂层上涂布光刻胶；利用低温淀积二氧化硅技术，在完成所述光刻胶涂布后，在其外表面淀积二氧化硅薄膜。当需要使用上述结构时，先使用湿法刻蚀去除上述结构表面的二氧化硅薄膜，再进行光刻、刻蚀操作。本发明提出的延长光刻胶有效使用寿命的方法，其特点是利用低温淀积二氧化硅(LTO)技术，在完成光刻胶涂布后，在其外表面淀积薄膜二氧化硅以确保材料不受到外部环境的影响。 | ||
| 申请公布号 | CN101958246B | 申请公布日期 | 2015.08.12 |
| 申请号 | CN201010229380.8 | 申请日期 | 2010.07.16 |
| 申请人 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 发明人 | 朱骏 |
| 分类号 | H01L21/316(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/316(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 郑玮 |
| 主权项 | 一种延长光刻胶有效使用寿命的方法，其特征在于，包括下列步骤：提供一半导体衬底；在所述半导体衬底上涂布底部抗反射涂层；在所述底部抗反射涂层上涂布光刻胶；利用低温淀积二氧化硅技术，在完成所述光刻胶涂布后，在其外表面淀积二氧化硅薄膜；其中，当需要对上述淀积二氧化硅薄膜的光刻胶结构进行光刻及刻蚀时，先使用湿法刻蚀去除上述结构表面的二氧化硅薄膜，再进行光刻、刻蚀操作。 | ||
| 地址 | 201210 上海市张江高斯路497号 | ||