将数据写入至闪存的方法及相关的记忆装置与闪存

摘要

本发明公开了一种将一数据写入至一闪存的方法及相关的记忆装置与闪存，其中所述闪存为一三层式储存闪存，所述闪存中的每一个储存单元以一浮栅晶体管来实现，每一个储存单元支持八个写入电压位准，且所述方法包含：逐位地调整所述数据以产生一虚拟乱码位序列；以及仅以所述八个写入电压位准中的两个特定电压位准将所述虚拟乱码位序列写入至所述闪存中。本发明可以使得写入的数据具有较佳的噪声边限。

主权项

一种将数据写入至闪存的方法，其特征在于，所述闪存为三层式储存闪存，所述闪存中的每一个储存单元以一个浮栅晶体管来实现，每一个储存单元支持八个写入电压位准，所述方法包含：逐位地调整所述数据以产生虚拟乱码位序列；以及仅以所述八个写入电压位准中的两个特定电压位准将所述虚拟乱码位序列写入至所述闪存中。