Halbleitervorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung

摘要

Ein Lötabschnitt (4) und eine Ni-Plattierungsmarkierung (5) werden durch Plattieren auf ein Verdrahtungsmuster (2) eines Isolationssubstrats (1) gleichzeitig ausgebildet. Ein Halbleiterchip (6) wird auf dem Isolationssubstrat (1) montiert. Eine Position des Isolationssubstrats (1) wird durch die Ni-Plattierungsmarkierung (5) erkannt und ein Draht (7) wird an den Halbleiterchip (6) gebondet. Eine Elektrode (8) wird mit dem Lötabschnitt (4) durch Lötmittel (9) verbunden. Das Isolationssubstrat (1), der Halbleiterchip (6), der Draht (7) und die Elektrode (8) werden in einem Einkapselungsmaterial (13) eingekapselt.