ナノワイヤ・アクセス・トランジスタを有するＤＲＡＭ

摘要

【課題】 ナノワイヤ・アクセス・トランジスタ及びその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体ナノワイヤが、ラップアラウンド半導体部分（３６）と一体的に形成され、該ラップアラウンド半導体部分は、深いトレンチの上部に配置された、深いトレンチ・キャパシタの内側電極（１６）に接触する導電性キャップ構造体（１８）の側壁に接触する。半導体ナノワイヤ（３０Ｎ）は、埋込み絶縁体層（２０）の上方から浮かせた状態で懸架される。ゲート誘電体層（３２Ｌ）が、半導体ナノワイヤとラップアラウンド半導体部分とを含む半導体材料構造体（３０Ｐ）の表面上に形成される。ラップアラウンド・ゲート電極部分（３６）が、半導体ナノワイヤの部分の回りに形成され、ゲート・スペーサ（５２）が形成される。パターン付けされた半導体材料構造体の物理的露出部分が除去され、選択的エピタキシ及びメタライゼーションが実施されて、半導体ナノワイヤのソース側端部が導電性キャップ構造体に接続される。【選択図】 図２８