Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung

摘要

Ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung umfasst Folgendes: Ausbilden eines Halbleiterwafers (1) mit mehreren Halbleitervorrichtungen (2), die einen Zertrennbereich (3) einfügen, und einer Inline-Untersuchungskontrollvorrichtung (15), die im Zertrennbereich angeordnet ist; nach dem Ausbilden des Halbleiterwafers Durchführen einer Inline-Untersuchung der Halbleitervorrichtung unter Verwendung der Inline-Untersuchungskontrollvorrichtung; und nach der Inline-Untersuchung Zertrennen des Halbleiterwafers entlang des Zertrennbereichs, um die Halbleitervorrichtungen individuell zu trennen. Der Schritt des Ausbildens des Halbleiterwafers umfasst Folgendes: gleichzeitiges Ausbilden einer ersten Diffusionsschicht (5) der Halbleitervorrichtung und einer zweiten Diffusionsschicht (16) der Inline-Untersuchungskontrollvorrichtung; Ausbilden einer Metallschicht auf der ersten und der zweiten Diffusionsschicht; und zumindest teilweises Entfernen der Metallschicht auf der zweiten Diffusionsschicht. Wenn der Halbleiterwafer zertrennt wird, wird ein Abschnitt, von dem die Metallschicht entfernt wurde, durch eine Zertrennklinge (20) auf der zweiten Diffusionsschicht geschnitten.