发明名称 |
一种四氧化三钴纳米线阵列、其制备方法以及作为锂离子电池负极的用途 |
摘要 |
本发明涉及一种四氧化三钴纳米线阵列、其制备方法以及作为锂离子电池负极的用途。该四氧化三钴纳米线阵列,其形貌为菱形结构,菱形的边长为100nm~500nm,菱形内角的锐角为30°~60°,阵列长度为5μm~20μm。本发明还提供了制备该四氧化三钴纳米线阵列的方法,以一定摩尔比的钴盐、化学结合剂、碱性反应物和水在常温下进行混合搅拌,将混合均匀的溶液移入反应釜中,并将干净的衬底置于溶液中进行水热反应后取出冲洗,再在惰性气氛中热处理,得到四氧化三钴纳米线阵列。本发明的四氧化三钴纳米线阵列可直接作为锂离子电池负极,能明显提高电池的比容量和循环性能,放电容量高达1000mAh/g以上,是一种理想的锂离子电池电极材料。 |
申请公布号 |
CN102556941B |
申请公布日期 |
2015.08.05 |
申请号 |
CN201210002292.3 |
申请日期 |
2012.01.05 |
申请人 |
浙江大学 |
发明人 |
朱丽萍;文震;梅伟民 |
分类号 |
B81B7/04(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I;H01M4/525(2010.01)I;H01M4/131(2010.01)I |
主分类号 |
B81B7/04(2006.01)I |
代理机构 |
浙江杭州金通专利事务所有限公司 33100 |
代理人 |
刘晓春 |
主权项 |
一种四氧化三钴纳米线阵列,其特征在于,阵列形貌为菱形结构,菱形的边长为100nm~500nm,菱形内角的锐角为30°~60°,阵列长度为5μm~20μm,所述四氧化三钴纳米线阵列用于锂离子电池的负极。 |
地址 |
310027 浙江省杭州市浙大路38号 |