一种半导体结构及其制造方法

摘要

本申请公开了一种半导体结构及其制造方法。本发明与常规接触形成方法相比能够降低接触电阻并防止栅极和接触栓塞之间短路，同时简化了生产工艺程序，提高集成度，降低制造成本。根据本发明的制造方法，所形成的第二浅沟槽隔离上表面与栅极上表面基本相持平，其中，由第二浅沟槽隔离的侧壁和栅极侧墙以及源漏区上表面形成的区域作为接触窗口，经填充导电材料后形成接触。该方法省去了刻蚀接触窗口的工艺步骤，降低了生产成本。通过与栅极自对准的方式形成接触，能够防止对准失误，改善器件性能，同时，能够减少器件所用面积，进而降低制造成本。

主权项

一种半导体结构，包括，半导体衬底；至少一个栅极，位于所述半导体衬底上；与所述栅极邻接的侧墙；源漏区，位于所述栅极的两侧；形成于所述源漏区上的接触；第一浅沟槽隔离，嵌于所述半导体衬底中，且长度方向与所述栅极长度方向平行；第二浅沟槽隔离，位于最外侧源漏区两侧，与所述第一浅沟槽隔离相接，形成隔离区；其特征在于：所述半导体结构还包括第二浅沟槽隔离侧墙，位于所述第二浅沟槽隔离靠近源漏区的一侧，并且所述第二浅沟槽隔离的上表面与所述栅极上表面相持平，所述源漏区与所述栅极自对准，所述接触与栅极自对准。