低温合成二氧化硅

摘要

本发明描述了一种在包括室温在内的低温下，在有机衬底上生长均匀二氧化硅层的环境压力原子层沉积(ALD)技术。例如，在周围环境下，交替地使用四甲氧基硅烷蒸汽与氨蒸汽作为催化剂。

主权项

一种形成二氧化硅薄膜的方法，其包括：将有机衬底暴露于处于环境压力和温度低于150℃下的烷氧基硅烷蒸汽中达1秒至120分钟的范围内的时间，以使得所述烷氧基硅烷被吸附在所述衬底上；然后通过暴露于处于环境压力下的水蒸汽和催化剂中，使所述被吸附的烷氧基硅烷转化为二氧化硅；再然后重复所述暴露和所述转化；其中，在将有机衬底暴露于烷氧基硅烷蒸汽期间，所述烷氧基硅烷不与处于所述环境压力条件下的水蒸汽反应，其中所述烷氧基硅烷包括四甲氧基硅烷、三乙氧基硅烷或其混合物。