| 发明名称 | 蚀刻液及使用其的半导体装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供在使用了具有电极的半导体基板的半导体装置的制造中使用的、能选择性蚀刻铜而不蚀刻镍的蚀刻液及使用其的半导体装置的制造方法。含有过氧化氢和有机酸和有机膦酸、有机酸为选自柠檬酸及苹果酸中的至少一种、且过氧化氢的含量为0.75~12质量%，有机酸的含量为0.75~25质量%、有机膦酸的含量为0.0005~1质量%的在使用了具有电极的半导体基板的半导体装置的制造中使用的蚀刻液、及使用了这些蚀刻液的半导体装置的制造方法。 | ||
| 申请公布号 | CN102696097B | 申请公布日期 | 2015.08.05 |
| 申请号 | CN201080059307.9 | 申请日期 | 2010.12.24 |
| 申请人 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 发明人 | 细见彰良 |
| 分类号 | H01L21/308(2006.01)I;C23F1/18(2006.01)I;H01L21/3205(2006.01)I;H01L21/3213(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I;H01L23/12(2006.01)I;H01L23/52(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/308(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人 | 刘新宇;李茂家 |
| 主权项 | 一种在使用了具有电极的半导体基板的半导体装置的制造中使用的蚀刻液的选择性蚀刻铜而不蚀刻镍的用途，所述蚀刻液含有过氧化氢、有机酸和有机膦酸，有机酸为选自柠檬酸及苹果酸中的至少一种，过氧化氢的含量为0.75～12质量％，有机酸的含量为0.75～25质量％，且有机膦酸的含量为0.0005～1质量％。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||