| 发明名称 | TFT及制作方法、阵列基板及制作驱动方法、显示装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种氧化物薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板及其制作方法和驱动方法以及一种显示装置。所述氧化物薄膜晶体管包括：第一栅极；栅绝缘层，形成于所述第一栅极上；氧化物半导体层，形成于所述栅绝缘层上，位于所述第一栅极上方；源极和漏极，分别形成于所述氧化物半导体层两侧上；绝缘保护层，形成于所述源极和漏极上；第二栅极，形成于所述绝缘保护层上，位于所述氧化物半导体层上方。本发明能够有效改善现有技术中由于光照和长时间单一方向栅极电压偏压对TFT特性退化造成的影响，延长了显示器的使用寿命。 | ||
| 申请公布号 | CN104821339A | 申请公布日期 | 2015.08.05 |
| 申请号 | CN201510236642.6 | 申请日期 | 2015.05.11 |
| 申请人 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发明人 | 秦纬 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/8232(2006.01)I;G09G3/20(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人 | 李相雨 |
| 主权项 | 一种氧化物薄膜晶体管，其特征在于，包括：第一栅极；栅绝缘层，形成于所述第一栅极上；氧化物半导体层，形成于所述栅绝缘层上，位于所述第一栅极上方；源极和漏极，分别形成于所述氧化物半导体层两侧上；绝缘保护层，形成于所述源极和漏极上；第二栅极，形成于所述绝缘保护层上，位于所述氧化物半导体层上方。 | ||
| 地址 | 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 | ||