发明名称 |
穿隧式磁阻传感器 |
摘要 |
本发明提供一种穿隧式磁阻传感器,包括基板、绝缘层、第一电极阵列以及穿隧磁阻元件。绝缘层是配置于基板上方。穿隧磁阻元件嵌于该绝缘层中,其中该穿隧磁阻元件之接近该基板的一表面直接接触该绝缘层。第一电极阵列包括至少一第一电极、一第二电极与一第三电极,彼此间隔地排列于绝缘层上方且配置于穿隧磁阻元件远离该基板一表面的上方,并分别电性连接至该穿隧磁阻元件,该第二电极配置于该第一电极与该第三电极之间。电流沿平行于穿隧磁阻元件的平面的方向流经第一电极、第二电极、第三电极及穿隧磁阻元件。此穿隧式磁阻传感器为平面穿隧式磁阻传感器,也就是说其仅需形成单层电极与穿隧磁阻元件电性连接,具有简化制程与节省成本的优点。 |
申请公布号 |
CN102866365B |
申请公布日期 |
2015.08.05 |
申请号 |
CN201110346438.1 |
申请日期 |
2011.11.04 |
申请人 |
宇能电科技股份有限公司 |
发明人 |
李乾铭;陈光镜;刘富台 |
分类号 |
G01R33/09(2006.01)I;G01D5/12(2006.01)I |
主分类号 |
G01R33/09(2006.01)I |
代理机构 |
上海波拓知识产权代理有限公司 31264 |
代理人 |
杨波 |
主权项 |
一种穿隧式磁阻传感器,其特征在于,包括:一基板;一绝缘层,配置于该基板上方;一穿隧磁阻元件,嵌于该绝缘层中,其中该穿隧磁阻元件之接近该基板的一表面直接接触该绝缘层;以及一第一电极阵列,包括至少一第一电极、一第二电极与一第三电极,彼此间隔地排列于该绝缘层上方且配置于该穿隧磁阻元件之远离该基板之一表面的上方,并分别电性连接至该穿隧磁阻元件,该第二电极配置于该第一电极与该第三电极之间,其中一电流流入该第一电极并流经该穿隧磁阻元件而流至该第二电极,且该电流流入该第二电极并流经该穿隧磁阻元件而流至该第三电极,该电流在该穿隧磁阻元件内的流动方向平行于该穿隧磁阻元件的平面,以形成平面穿遂式的该穿遂式磁阻传感器。 |
地址 |
中国台湾新竹县竹北市台元一街1号6楼之1 |